型号: DMG3415U-7
功能描述: MOSFET
制造商: Diodes Incorporated
系列: DMG
单位重量: 8 mg
高度: 1 mm
长度: 2.9 mm
宽度: 1.3 mm
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 55 C
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
典型接通延迟时间: 71 ns
上升时间: 117 ns
Vgs-栅极-源极电压: 8 V
Pd-功率耗散: 900 mW
通道数量: 1 Channel
Id-连续漏极电流: - 4 A
Vds-漏源极击穿电压: - 20 V
晶体管类型: 1 P-Channel
RdsOn-漏源导通电阻: 42.5 mOhms
通道模式: Enhancement
晶体管极性: P-Channel
典型关闭延迟时间: 795 ns
FET类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 4A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 9.1nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 294pF @ 10V
Vgs(最大值): ±8V
功率耗散(最大值): 900mW(Ta)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 39 毫欧 @ 4A,4.5V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装形式Package: SOT-23
极性Polarity: P-CH
漏源极击穿电压VDSS: 20V
连续漏极电流ID: 4A
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:林先生
电话:15913992480
联系人:肖瑶,树平
电话:13926529829
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:Alien
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:林炜东,林俊源
联系人:罗先生
电话:19854773352
联系人:段生
电话:18802904194
联系人:吴
Q Q:
联系人:骆高波
电话:13352996100