型号:  DMG3415U-7

功能描述:  MOSFET

制造商:  Diodes Incorporated

系列：  DMG

单位重量：  8 mg

高度：  1 mm

长度：  2.9 mm

宽度：  1.3 mm

最大工作温度：  + 150 C

最小工作温度：  - 55 C

安装风格：  SMD/SMT

配置：  Single

典型接通延迟时间：  71 ns

上升时间：  117 ns

Vgs-栅极-源极电压：  8 V

Pd-功率耗散：  900 mW

通道数量：  1 Channel

Id-连续漏极电流：  - 4 A

Vds-漏源极击穿电压：  - 20 V

晶体管类型：  1 P-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：  42.5 mOhms

通道模式：  Enhancement

晶体管极性：  P-Channel

典型关闭延迟时间：  795 ns

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  4A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  1.8V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  9.1nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  294pF @ 10V

Vgs（最大值）：  ±8V

功率耗散（最大值）：  900mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  39 毫欧 @ 4A，4.5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：  SOT-23

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  20V

连续漏极电流ID：  4A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs