型号:  DMG6301UDW-13

功能描述:  MOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  25 V

Id-连续漏极电流:  240 mA

Rds On-漏源导通电阻:  3.8 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  850 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  360 pC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  370 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  PowerDI

封装:  Reel

系列:  DMG6301

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  1 S

下降时间:  2.3 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  1.8 ns

工厂包装数量:  10000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  6.6 ns

典型接通延迟时间:  2.9 ns

单位重量:  6 mg