型号:  DMG6602SVT-7

功能描述:  MOSFET

制造商:  Diodes Incorporated

系列：  DMG

最大工作温度：  + 150 C

最小工作温度：  - 55 C

技术：  Si

安装风格：  SMD/SMT

典型接通延迟时间：  3 ns

上升时间：  5 ns

Vgs-栅极-源极电压：  20 V

Pd-功率耗散：  840 mW

通道数量：  2 Channel

Id-连续漏极电流：  3.4 A, 2.8 A

Vds-漏源极击穿电压：  30 V, 30 V

晶体管类型：  1 N-Channel, 1 P-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：  100 mOhms, 140 mOhms

通道模式：  Enhancement

晶体管极性：  N-Channel, P-Channel

Qg-栅极电荷：  9 nC

典型关闭延迟时间：  13 ns

正向跨导-最小值：  4 S

FET类型：  N 和 P 沟道

FET功能：  逻辑电平门

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  3.4A，2.8A

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  60 毫欧 @ 3.1A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  13nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  400pF @ 15V

功率-最大值：  840mW

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TSOT-23-6

封装形式Package：  TSOT-23

极性Polarity：  N+P

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  3.4A/2.8A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs