型号:  DMG6898LSDQ-13

功能描述:  MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30V 9.8A 20Vdss

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  9.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  11 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

Qg-栅极电荷:  26 nC, 26 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.28 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  DMG6898

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  12.33 ns, 12.33 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  12.49 ns, 12.49 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  35.89 ns, 35.89 ns

典型接通延迟时间:  11.67 ns, 11.67 ns

单位重量:  74 mg