型号:  DMG6602SVTQ-7

功能描述:  MOSFET 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSOT-26-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  3.4 A, 2.8 A

Rds On-漏源导通电阻:  100 mOhms, 140 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V, 2.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  9 nC, 7 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.27 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  DMG6602

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  4 S, 6 S

下降时间:  3 ns, 13 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  5 ns, 7.3 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  13 ns, 20 ns

典型接通延迟时间:  3 ns, 4.8 ns