型号: DMN1006UCA6-7-01
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：- 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1.3V @ 1mA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.4W 类型：双N沟道
制造商: DIODES(美台)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -12V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: -
栅源极阈值电压: 1.3V @ 1mA
漏源导通电阻: -
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2.4W
类型: 双N沟道
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