型号: DMN16M0UCA6-7
功能描述: MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN2112-
制造商: Diodes Incorporated
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: 2 N 沟道（双）共漏
FET 功能: 标准
漏源电压（Vdss）: 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 17A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 5.9mOhm @ 5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 24nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: -
功率 - 最大值: 900mW
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD，无引线
供应商器件封装: X4-DSN2112-6
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