型号: DMN2004DWK
功能描述: MOSFET
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 540 mA
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Rds On-漏源导通电阻: 550 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 8 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 200 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
商标: Diodes Incorporated
通道模式: Enhancement
配置: Dual
最小工作温度: - 65 C
系列: DMN2004D
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Q Q:
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Q Q:
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联系人：边小姐
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Q Q:
联系人：陈
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Q Q:
联系人：朱培键
Q Q:
