型号: DMN2016LHAB-7
功能描述: Diodes Incorporated/分立半导体产品
制造商: Diodes Incorporated
RoHS指令信息： RoHS Cert of Compliance
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 N 沟道（双）共漏
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 7.5A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 15.5 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 16nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1550pF @ 10V
功率 - 最大值： 1.2W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： *
其它名称： DMN2016LHAB-7DITR
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