型号:  DMN26D0UT-7

功能描述:  MOSFET N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-523-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  230 mA

Rds On-漏源导通电阻:  3 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4.5 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  300 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  DMN26

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  242 mS

下降时间:  15.2 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7.9 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  13.4 ns

典型接通延迟时间:  3.8 ns

单位重量:  2 mg