型号: DMN53D0U-13
功能描述: MOSFET N-CHANNEL MOSFET
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 50 V
Id-连续漏极电流: 300 mA
Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
Qg-栅极电荷: 600 pC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 520 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
系列: DMN53
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 2.8 ns
工厂包装数量: 10000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 2.1 ns
单位重量: 8 mg
联系人：Alien
Q Q:
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