型号: DMN5L06-7
功能描述: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3
制造商: Diodes Incorporated
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 280mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 1.8V，2.7V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 50pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 3 欧姆 @ 200mA，2.7V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装形式Package： SOT-23
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 50V
连续漏极电流ID： 0.28A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张先生
电话：13760244663
Q Q:
联系人：牛小姐
Q Q:
联系人：王先生
电话：15914106549
Q Q:
