型号:  DMN63D8L-13

功能描述:  MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  350 mA

Rds On-漏源导通电阻:  2.8 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  900 pC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  350 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.975 mm

长度:  2.9 mm

系列:  DMN63D8L

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  1.3 mm

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  80 mS

下降时间:  16.7 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  3.9 ns

工厂包装数量:  10000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  11.4 ns

典型接通延迟时间:  2.3 ns

单位重量:  8 mg