型号:  DMP2160UFDBQ-7

功能描述:  MOSFET Dual P-Ch Enh FET VDSS -20V -12VGSS

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  U-DFN2020-B-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  3.8 A

Rds On-漏源导通电阻:  68 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  900 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

Qg-栅极电荷:  6.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.4 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  DMP2160

晶体管类型:  2 P-Channel

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  27.54 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  12.09 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  55.34 ns

典型接通延迟时间:  11.51 ns