型号:  DMT10H010LCT

功能描述:  MOSFET 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  98 A

Rds On-漏源导通电阻:  6.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  53.7 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  139 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

系列:  DMT10H010

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  22 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  14.1 ns

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  42.9 ns

典型接通延迟时间:  11.6 ns

单位重量:  1.800 g