型号: DMT6012LFDF-7
功能描述: MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: U-DFN2020-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 9.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 14 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 13.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.9 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 8.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.4 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 14.7 ns
典型接通延迟时间: 3.2 ns
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：许小姐
Q Q:
联系人：颜女士
电话：0537-2331282
Q Q:
联系人：朱生，李小姐
电话：13691729768
Q Q:
