型号:  DMTH6004SCTB-13

功能描述:  MOSFET Enh Mode FET 41V to 60V TO263

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  100 A

Rds On-漏源导通电阻:  2.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  95.4 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  4.7 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  4.82 mm

长度:  10.66 mm

系列:  DMTH6004

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  9.65 mm

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  -

下降时间:  12 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  11.7 ns

工厂包装数量:  800

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  31 ns

典型接通延迟时间:  13.2 ns

单位重量:  2 g