型号: EFC6612R-A-TF
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能： 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 27nC @ 4.5V
功率 - 最大值： 2.5W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-SMD，无引线
供应商器件封装： 6-CSP （1.77x3.54）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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