型号: EPC2012CENGR
功能描述: EPC/分立半导体产品
制造商: EPC
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： eGaN®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： GaNFET N 通道，氮化镓
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 100 毫欧 @ 3A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 100pF @ 100V
功率 - 最大值： -
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 模具
供应商器件封装： 模具剖面（4 焊条）
配用： 917-1092-ND - BOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGAN
其它名称： 917-EPC2012CENGRTR
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