型号: EPC2012CENGR
功能描述: EPC/分立半导体产品
制造商: EPC
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： eGaN®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： GaNFET N 通道，氮化镓
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 100 毫欧 @ 3A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 100pF @ 100V
功率 - 最大值： -
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 模具
供应商器件封装： 模具剖面（4 焊条）
配用： 917-1092-ND - BOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGAN
其它名称： 917-EPC2012CENGRTR
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：王
电话：13631598171
Q Q:
联系人：小冯
电话：18964592030
Q Q:
联系人：张先生
电话：17602007745
Q Q:
联系人：曾小姐
电话：18025356461
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：陈锦伟
电话：18316710010
Q Q:
联系人：吴小姐，李先生
电话："13715248127" "13728936238"
Q Q:
联系人：高灵能
电话：15338798846
Q Q:
