型号: FDD6N25
功能描述: MOSFE
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 4.4 A
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.1 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 50 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 12 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 25 ns
系列: FDD6N25
典型关闭延迟时间: 7 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：郭奕滨
电话：13266624794
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：17688947206
Q Q:
联系人：马先生
电话：13601075042
Q Q:
