型号: FDFMA2P029Z/BKN
功能描述: Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin MicroFET T/R
制造商: fairchild semiconductor
包装： 6MicroFET
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 20 V
最大连续漏极电流： 3.1 A
RDS -于： 95@4.5V mOhm
最大门源电压： ±12 V
典型导通延迟时间： 13 ns
典型上升时间： 11 ns
典型关闭延迟时间： 37 ns
典型下降时间： 36 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Cut Tape
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：赵伟滨
电话：19926488141
Q Q:
联系人：洪
电话：13652309457
Q Q:
联系人：凌小姐
电话：13922135443
Q Q:
联系人：吴
电话：13528813977
Q Q:
联系人：陈安定
电话：18101718660
Q Q:
