型号: FDFMA2P029Z/BKN
功能描述: Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin MicroFET T/R
制造商: fairchild semiconductor
包装： 6MicroFET
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 20 V
最大连续漏极电流： 3.1 A
RDS -于： 95@4.5V mOhm
最大门源电压： ±12 V
典型导通延迟时间： 13 ns
典型上升时间： 11 ns
典型关闭延迟时间： 37 ns
典型下降时间： 36 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Cut Tape
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Q Q:
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