型号:  FDG6308P

功能描述:  MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-323-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  600 mA

Rds On-漏源导通电阻:  400 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  300 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  PowerTrench

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.1 mm

长度:  2 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  FDG6308P

晶体管类型:  2 P-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  1.25 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  2.1 S

下降时间:  15 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  15 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  7 ns

典型接通延迟时间:  5 ns

零件号别名:  FDG6308P_NL

单位重量:  28 mg