型号: FDG6332C-F085
功能描述: MOSFET 20V N&P Chan PowerTrench
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-70-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 700 mA
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms, 420 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
Qg-栅极电荷: 1.1 nC, 1.4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 mW
配置: Dual
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: PowerTrench
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.1 mm
长度: 2 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: FDG6332C_F085
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度: 1.25 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 2.8 S, 1.8 S
下降时间: 1.5 ns, 1.7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 7 nS, 14 nS
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 9 nS, 6 nS
典型接通延迟时间: 5 nS, 5.5 nS
零件号别名: FDG6332C_F085
单位重量: 28 mg
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