型号: FDM606P
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 6.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 30nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2200pF @ 10V
功率耗散（最大值）： 1.92W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 30 毫欧 @ 6.8A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-MLP，MicroFET（3x2）
封装/外壳： 8-SMD，扁平引线裸焊盘
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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