型号: FDMC8884-F126
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 9A（Ta），15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 14nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 685pF @ 15V
功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），18W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 19 毫欧 @ 9A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）
封装/外壳： 8-PowerWDFN
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：李轩
电话：18820011775
Q Q:
联系人：刘生
电话：15994811639
Q Q:
联系人：蔡伟文
电话：13729223013
Q Q:
