型号: FDMD8280
功能描述: MOSFET FET 80V 8.2 MOHM PQFN
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PQFN-12
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 38 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
商标名: Power Clip
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.8 mm
长度: 5 mm
系列: FDMD8280
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 3.3 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
下降时间: 8.9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
单位重量: 82.320 mg
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