型号: FDMD8630
功能描述: MOSFET FET 30V 167A 1.0 mOhm
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Power-56-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 167 A
Rds On-漏源导通电阻: 1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 142 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 43 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 281 S
下降时间: 24 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 66 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
单位重量: 98 mg
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：高先生
Q Q:
联系人：李小姐
电话：18098935727
Q Q:
联系人：肖生
Q Q:
