型号: FDMD8580
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 标准
漏源电压（Vdss）： 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 16A（Ta），82A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 4.6 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 80nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5875pF @ 40V
功率 - 最大值： 2.3W
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerWDFN
供应商器件封装： Power56
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：Sunny
Q Q:
联系人：刘威
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13651455585
Q Q:
