型号:  FDMD85100

功能描述:  MOSFET FET 100V 9.9 MOHM PQFN56

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  Power-33-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  48 A

Rds On-漏源导通电阻:  18.7 mOhms, 18.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  22 nC, 21 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  50 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  PowerTrench Power Clip

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.8 mm

长度:  3.3 mm

系列:  FDMD85100

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  3.3 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  27 S, 26 S

下降时间:  4.2 ns, 4.4 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  5 ns, 5.6 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  19 ns, 18 ns

典型接通延迟时间:  14 ns, 12.5 ns

单位重量:  94.850 mg