型号:  FDMD8560L

功能描述:  MOSFET 60V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  Power 5 x 6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  22 A

Rds On-漏源导通电阻:  5.4 mOhms, 5.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  92 nC, 92 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.2 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.8 mm

长度:  3.3 mm

系列:  FDMD8560L

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  3.3 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  98 S, 98 S

下降时间:  11 ns, 11 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  15 ns, 15 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  57 ns, 57 ns

典型接通延迟时间:  20 ns, 20 ns

单位重量:  94.850 mg