型号:  FDMD8240LET40

功能描述:  MOSFET 40V 103 A Dual NChnl Power Trench MOSFET

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PQFN-12

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  40 V

Id-连续漏极电流:  103 A

Rds On-漏源导通电阻:  4.3 mOhms, 4.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  40 nC, 40 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  50 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  Power Clip

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.8 mm

长度:  5 mm

系列:  FDMD8240LET40

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  3.3 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:  107 S, 107 S

下降时间:  9 ns, 9 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  8 ns, 8 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  36 ns, 36 ns

典型接通延迟时间:  12 ns, 12 ns

单位重量:  82.320 mg