型号: FDN358P_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: - 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: - 1.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.125 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-3
封装: Reel
下降时间: 13 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 3.5 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.5 W
上升时间: 13 ns
典型关闭延迟时间: 12 ns
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