型号: FDP050AN06A0_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 60 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 80 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.005 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
下降时间: 29 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 245 W
上升时间: 160 ns
典型关闭延迟时间: 28 ns
联系人：全小姐
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：蔡泽锋
电话：13360526935
Q Q:
联系人：曾小姐
电话：18025356461
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：雷先生
电话：17788743709
Q Q:
联系人：张丽云
电话：13480923769
Q Q:
联系人：于简
电话：13632927780
Q Q:
