型号:  FDP86363-F085

功能描述:  MOSFET NMOS TO220 80V 2.8 MOHM

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  80 V

Id-连续漏极电流:  110 A

Rds On-漏源导通电阻:  2.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  131 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  300 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

商标名:  PowerTrench

高度:  16.3 mm

长度:  10.67 mm

系列:  FDP86363_F085

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  4.7 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:  40 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  129 ns

工厂包装数量:  400

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  64 ns

典型接通延迟时间:  38 ns

零件号别名:  FDP86363_F085

单位重量:  1.800 g