型号: FDS6690A_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 11 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0098 Ohms
配置: Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel
下降时间: 9 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 48 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.5 W
上升时间: 5 ns
典型关闭延迟时间: 28 ns
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：张先生
电话：17602007745
Q Q:
联系人：徐小姐
电话：13631670223
Q Q:
联系人：蔡升航
电话：13202105858
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：唐小姐，朱先生
电话：18802682975
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：李先生
Q Q:
联系人：杨文炎
电话：13828847993
Q Q:
联系人：李工
电话：15618331095
Q Q:
