型号: FDS6690A_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 11 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0098 Ohms
配置: Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel
下降时间: 9 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 48 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.5 W
上升时间: 5 ns
典型关闭延迟时间: 28 ns
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：高小姐
电话：15815599832
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13715037703
Q Q:
联系人：赵伟滨
电话：19926488141
Q Q:
联系人：麦逸芬
电话：13430483190
Q Q:
联系人：石满满
电话：13051098960
Q Q:
联系人：郑明辉
Q Q:
联系人：sky
电话：15814668758
Q Q:
联系人：王辉燕
电话：18926529691
Q Q:
