型号: FDS6690A_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 11 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0098 Ohms
配置: Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel
下降时间: 9 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 48 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.5 W
上升时间: 5 ns
典型关闭延迟时间: 28 ns
联系人：郭小姐
电话：15818715186
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：张小姐
电话：18688969163
Q Q:
联系人：马小姐
电话：13922854643
Q Q:
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：陈先生，张女士
电话：13606207446
Q Q:
联系人：张
电话：13266573387
Q Q:
联系人：张女士
Q Q:
联系人：程先生
电话：18127076503
Q Q:
联系人：郭生
Q Q:
