型号: FF200R12KS4HOSA1
功能描述: Dual Series IGBT Module 1200V 200A
制造商: Infineon Technologies
配置： 2 个独立式
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 275A
功率 - 最大值： 1400W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 3.7V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）： 5mA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）： 13nF @ 25V
输入： 标准
NTC 热敏电阻： 无
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 底座安装
封装/外壳： AG-62MM-1
供应商器件封装： 模块
配置： 串行
最大连续集电极电流： 275 A
最大集电极-发射极电压： 1200 V
最大栅极发射极电压： ±20V
通道类型： N
安装类型： 面板安装
封装类型： AG-62MM-1
最大功率耗散： 1.4 kW
尺寸： 106.4 x 61.4 x 30.5mm
高度： 30.5mm
长度： 106.4mm
最高工作温度： +125 °C
宽度： 61.4mm
最低工作温度： -40 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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