型号: FQA6N90C
功能描述: MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS 2000 : 详细信息
Id-连续漏极电流: 6 A
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Rds On-漏源导通电阻: 2.3 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 198 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
封装: Tube
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 60 ns
正向跨导 - 最小值: 5.5 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 90 ns
系列: FQA6N90
工厂包装数量: 30
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
零件号别名: FQA6N90C_NL
单位重量: 5.600 mg
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
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