型号: GT30J324
功能描述: Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
制造商: TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
晶体管类型: 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
集电极直流电流: 30A
饱和电压, Vce sat 最大: 2.45V
功耗, Pd: 170W
电压, Vceo: 600V
工作温度范围: -55°C 到 +150°C
封装类型: TO-3P
针脚数: 3
上升时间: 70ns
下降时间典型值: 50ns
功率, Pd: 170W
功耗: 170W
封装类型: TO-3P (N)
晶体管极性: ?频道
最大功耗: 170W
最大连续电流, Ic: 30A
热阻, 结至外壳 A: 0.735°C/W
电压, Vces: 600V
电流, Icm 脉冲: 60A
结温, Tj 最高: 150°C
表面安装器件: 通孔安装
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