型号: GT60M303(Q)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： GT60M303
标准包装： 100
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： -
包装： 管件
IGBT 类型： -
电压 - 集射极击穿（最大值）： 900V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 120A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2.7V @ 15V，60A
功率 - 最大值： 170W
开关能量： -
输入类型： 标准
栅极电荷： -
25°C 时 Td（开/关）值： 460ns/600ns
测试条件： -
反向恢复时间（trr）： 2.5µs
封装/外壳： TO-3PL
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-3P（LH）
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：刘经理
电话：13381567868
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：曾小姐
电话：18025356461
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18823802745
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：欧维明
电话：13810607781
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13392801011
Q Q:
