型号: GT60M303(Q)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： GT60M303
标准包装： 100
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： -
包装： 管件
IGBT 类型： -
电压 - 集射极击穿（最大值）： 900V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 120A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2.7V @ 15V，60A
功率 - 最大值： 170W
开关能量： -
输入类型： 标准
栅极电荷： -
25°C 时 Td（开/关）值： 460ns/600ns
测试条件： -
反向恢复时间（trr）： 2.5µs
封装/外壳： TO-3PL
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-3P（LH）
联系人：张先生
电话：17602007745
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18317142458
Q Q:
联系人：马信洪
电话：15889772787
Q Q:
联系人：唐伟,吕年英
电话：17727431393
Q Q:
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：麦逸芬
电话：13430483190
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：黄先生
Q Q:
联系人：赵友涛
电话：18915486513
Q Q:
