型号: GT60N321(Q)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 100
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： -
包装： 管件
IGBT 类型： -
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1000V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 120A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2.8V @ 15V，60A
功率 - 最大值： 170W
开关能量： -
输入类型： 标准
栅极电荷： -
25°C 时 Td（开/关）值： 330ns/700ns
测试条件： -
反向恢复时间（trr）： 2.5µs
封装/外壳： TO-3PL
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-3P（LH）
联系人：王静
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电话：13360071553
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联系人：余先生，张先生
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联系人：徐小姐
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联系人：易
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联系人：陈少荣
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