型号: GT60N321Q
功能描述: Trans IGBT Chip N-CH 1KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(LH)
制造商: Toshiba
集电极电流(DC ): 60 A
集电极 - 发射极电压: 1000 V
安装: Through Hole
包装类型: TO-3P(LH)
引脚数: 3
工作温度(最大): 150C
工作温度(最小值): -55C
工作温度分类: Military
渠道类型: N
配置: Single
Gate to Emitter Voltage (Max): �25 V
弧度硬化: No
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