型号: H55S1262EFP-E3
功能描述: H55S1262EFP-E3, DDR SDRAM Memory 128Mbit, 2M x 16 bit, 166MHz, 5.4ns, 1.8V, 54-Pin, FBGA
制造商: Hynix
地址总线宽度: 12bit
数据总线宽度: 16bit
数据传输速率: 166MHz
外形尺寸: 8 x 8 x 0.61mm
身高: 0.61mm
长度: 8mm
最大工作电源电压: 1.95 V
最高工作温度: +85 °C
最大随机存取时间: 5.4ns
存储容量: 128Mbit
最低工作电源电压: 1.7 V
最低工作温度: -30 °C
安装类型: Surface Mount
每字位数: 16bit
字数: 2M
组织: 2M x 16 bit
包装类型: FBGA
引脚数: 54
宽度: 8mm
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