型号: H55S1262EFP-E3
功能描述: H55S1262EFP-E3, DDR SDRAM Memory 128Mbit, 2M x 16 bit, 166MHz, 5.4ns, 1.8V, 54-Pin, FBGA
制造商: Hynix
地址总线宽度： 12bit
数据总线宽度： 16bit
数据传输速率： 166MHz
外形尺寸： 8 x 8 x 0.61mm
身高： 0.61mm
长度： 8mm
最大工作电源电压： 1.95 V
最高工作温度： +85 °C
最大随机存取时间： 5.4ns
存储容量： 128Mbit
最低工作电源电压： 1.7 V
最低工作温度： -30 °C
安装类型： Surface Mount
每字位数： 16bit
字数： 2M
组织： 2M x 16 bit
包装类型： FBGA
引脚数： 54
宽度： 8mm
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