型号: HGT1S10N120BNS
功能描述: Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Fairchild Semiconductor
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： -
包装： 管件
IGBT 类型： NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 35A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 80A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2.7V @ 15V，10A
功率 - 最大值： 298W
开关能量： 320µJ（开），800µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 100nC
25°C 时 Td（开/关）值： 23ns/165ns
测试条件： 960V，10A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： -
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-263AB
其它名称： HGT1S10N120BNS-NDHGT1S10N120BNSFS
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