型号: HGT1S2N120CNS
功能描述: IGBT 晶体管
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 13 A
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: TO-263AB-3
商标: Fairchild Semiconductor
集电极最大连续电流 Ic: 13 A
最小工作温度: - 55 C
安装风格: SMD/SMT
系列: HGT1S2N120
联系人:Alien
联系人:肖瑶,树平
电话:13926529829
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:彭小姐
联系人:马小姐
电话:13922854643
联系人:小冯
电话:18964592030
联系人:朱小姐
电话:13652405995
联系人:Sam
联系人:李林,史小姐,李小姐
电话:15816893710
联系人:杨生