型号:  HN1B01FU-GR,LF

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

制造商:  Toshiba

制造商:  Toshiba

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

晶体管极性:  NPN, PNP

配置:  Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:  50 V

集电极—基极电压 VCBO:  60 V, - 50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  5 V

集电极—射极饱和电压:  100 mV

最大直流电集电极电流:  150 mA

增益带宽产品fT:  150 MHz, 120 MHz

最大工作温度:  + 125 C

系列:  HN1B01

直流电流增益 hFE 最大值:  400

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

商标:  Toshiba

直流集电极/Base Gain hfe Min:  120

Pd-功率耗散:  200 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors

单位重量:  7.500 mg