型号: HSBA6016
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：52A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：62.5W 类型：N沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 52A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 12mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 62.5W
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：高小姐
电话：15815599832
Q Q:
联系人：刘经理
电话：13381567868
Q Q:
联系人：昂捷
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：15018507275
Q Q:
联系人：彭凌俊
电话：13670271085
Q Q:
