型号: HSCB2012
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 12A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.3W 类型：N沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 12A
栅源极阈值电压: 900mV @ 250uA
漏源导通电阻: 15mΩ @ 12A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3.3W
类型: N沟道
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