型号: HSH15810
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：227W 类型：N沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 120A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 4.5mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 227W
类型: N沟道
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈先生，张女士
电话：13606207446
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：赵
电话：13823158773
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13534004157
Q Q:
联系人：纪先生，吴小姐，张先生，朱先生
电话：17788723678
Q Q:
联系人：叶新兴
电话：13316967006
Q Q:
