型号: IAUC100N04S6N022
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 32uA 漏源导通电阻：2.26mΩ @ 50A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 100A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 32uA
漏源导通电阻: 2.26mΩ @ 50A, 10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 75W(Tc)
类型: N沟道
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