型号: IGC18T120T8Q
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳： --
Packing Type： WAFER SAWN
VDS max： 1200.0V
Technology： IGBT HighSpeed 3
Operating Temperature min max： -40.0°C 175.0°C
VCE(sat) max： 2.42V
IC max： 15.0A
VGE(th) min max： 5.3V 6.3V
RoHS compliant： yes
Packing Type： WAFER SAWN
VDS max： 1200.0V
Technology： IGBT HighSpeed 3
Operating Temperature min max： -40.0°C 175.0°C
VCE max： 1200.0V
VCE(sat) max： 2.42V
IC max： 15.0A
VGE(th) min max： 5.3V 6.3V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：蔡小姐
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Q Q:
